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VBMB165R11 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB165R11是一款Single N场效应管,采用Plannar技术制造。具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,漏极-源极电阻(RDS(on))为800mΩ,最大漏极电流(ID)为11A。封装形式为TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:漏极-源极电压(VDS)为650V,栅极-源极电压(VGS)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,漏极-源极电阻(RDS(on))为800mΩ,最大漏极电流(ID)为11A。
- 技术:采用Plannar技术制造。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电动汽车驱动:由于VBMB165R11具有较高的漏极-源极电压和电流能力,可用于电动汽车驱动系统中的功率开关模块,实现电机控制和能量转换。
2. 高功率电源模块:在工业应用中,该器件可用于高功率电源模块,如大功率直流-直流转换器或逆变器,满足工业设备对电能的需求。
3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,VBMB165R11可用于逆变器中的功率开关模块,将太阳能转换为可用电能,为家庭或商业用途提供清洁能源。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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