VBMB165R10S - VBsemi MOS管制造商

VBMB165R10S 产品详细

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产品简介：

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VBsemi的VBMB165R10S是一款单N沟道场效应晶体管（Single N）产品。其主要特点包括650V的漏极-源极电压（VDS），30V的门-源电压（VGS），3.5V的阈值电压（Vth），以及10A的漏极电流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO220F。

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产品参数：

详细参数说明：
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 门-源电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：360
- 漏极电流（ID）：10A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO220F

领域和模块应用：

应用领域和模块示例：
1. 高压电源模块：由于VBMB165R10S具有较高的漏极-源极电压和漏极电流，适用于高压电源模块的设计，如电动汽车充电桩、工业电源等。
2. 逆变器模块：VBMB165R10S的高耐压和低导通电阻特性使其适用于逆变器模块，可用于太阳能逆变器、变频空调等领域。
3. 消费类电子产品：由于其封装为TO220F，适用于一些消费类电子产品的功率开关模块，如电磁炉、变频电风扇等。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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