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VBMB165R10S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBMB165R10S是一款单N沟道场效应晶体管(Single N)产品。其主要特点包括650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),以及10A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220F。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):360
- 漏极电流(ID):10A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 高压电源模块:由于VBMB165R10S具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适用于高压电源模块的设计,如电动汽车充电桩、工业电源等。
2. 逆变器模块:VBMB165R10S的高耐压和低导通电阻特性使其适用于逆变器模块,可用于太阳能逆变器、变频空调等领域。
3. 消费类电子产品:由于其封装为TO220F,适用于一些消费类电子产品的功率开关模块,如电磁炉、变频电风扇等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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