MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBMB165R08SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi VBMB165R08SE 是一款单N沟道场效应晶体管,采用 SJ_Deep-Trench 技术制造。该产品具有高性能和可靠性,适用于各种电力电子应用场合。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBMB165R08SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 封装:TO220F
- VDS(耐压):650V
- VGS(门极源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:460mΩ
- 最大漏极电流(ID):8A
- 技术:SJ_Deep-Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 工业电力系统:VBMB165R08SE 可用于工业电力系统中的开关电源、逆变器等模块,实现高效能的电力转换和稳定供电。
2. 汽车电子控制:适用于汽车电子控制系统中的电动车辆驱动器、车载充电桩等模块,提供高性能的动力输出和充电服务。
3. 太阳能发电系统:在太阳能发电系统中,该产品可以用于逆变器和控制器模块,将太阳能电能转换为可用电能,实现清洁能源利用。
4. 电力供应设备:VBMB165R08SE 可用于电力供应设备中的稳压器、开关电源等模块,保障设备的安全稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询