详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBMB165R05SE
- 类型:单 N 沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为 10V 时的导通电阻(mΩ):750
- 最大漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220F
适用领域和模块举例:
1. 电源模块:VBMB165R05SE 可用于设计各种电源模块,确保稳定可靠的电源输出,适用于家庭电器、电动工具等应用。
2. 工业控制系统:在需要承受高压和大电流的工业控制系统中,可作为功率开关器件,确保设备的性能和稳定性。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率转换和控制电路,提供高效率和可靠性的能量转换解决方案。
4. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,可用于设计车载电源管理和驱动模块,提供可靠的动力输出和控制。
* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您
* 如果您需要申请我司样品,请填写表格提交,我们会24小时内回复您