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VBMB165R05 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBMB165R05是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):2000
- 最大漏极电流(ID):5A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源逆变器模块:VBMB165R05可用于太阳能逆变器和UPS系统中的功率开关,实现直流电到交流电的转换,适用于家庭和商业用途。
2. 电动工具模块:由于其高电压和高电流承受能力,该产品适用于电动工具的电源控制模块,如电动钻、电动锯等。
3. 医疗设备模块:在医疗设备领域,VBMB165R05可用于X射线设备、超声波设备和医用激光器等的功率控制模块。
4. 家电控制模块:作为家电控制电路中的功率开关,该产品可用于家电产品如洗衣机、冰箱和空调等的电源控制和电流调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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