产品参数：
二、2SK3072-VB 详细参数说明
| 参数 | 数值 | 单位 | 备注 |
|-------------------|------------|-------|------------------------------------------|
| **封装类型** | SOT23-3 | | |
| **配置** | 单 N 沟道 | | |
| **漏源电压 (VDS)** | 650 | V | 最大额定值 |
| **栅源电压 (VGS)** | 30（±） | V | 最大额定值 |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5 | V | 典型值 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 8400 | mΩ | VGS=10V 时 |
| **连续漏极电流 (ID)** | 1 | A | 最大额定值 |
| **技术** | Plannar | | 平面结构 |
领域和模块应用：
三、应用领域及示例
2SK3072-VB MOSFET 适用于各种低功率电子应用，具有以下应用领域：
1. **消费电子**：在手机充电器、电源适配器等低功率设备中，2SK3072-VB 可以用于电源管理和开关控制。其低功率特性和简单结构使其成为消费电子产品的理想选择。
2. **LED 灯驱动**：在 LED 灯驱动电路中，2SK3072-VB 可以用于驱动和控制 LED 灯的亮度。其高稳定性和低功率特性有助于提高 LED 灯的效率和控制性能。
3. **医疗器械**：在医疗器械中的一些低功率电子设备中，2SK3072-VB 可以用于控制和驱动。其简单结构和可靠性有助于提高医疗器械的效率和可靠性。
综上所述，2SK3072-VB MOSFET 在消费电子、LED 灯驱动和医疗器械等低功率应用领域具有广泛的应用前景，并且能够提供低成本和稳定性的解决方案。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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