产品简介：
VBsemi的VBMB165R02是一款Single N场效应管，采用Plannar技术制造。具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS）和3.5V的阈值电压（Vth）。在VGS=10V时，漏极-源极电阻（RDS(on)）为1700mΩ，最大漏极电流（ID）为2A。封装形式为TO220F。