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VBMB1638 产品详细

产品简介:

VBMB1638是一款单N沟道MOSFET,具有高压、高电流的特点,适用于多种功率电路设计。

1. **Single N**:单N沟道MOSFET。

2. **VDS(V)**:漏极-源极电压,最大可承受电压为60V。

3. **VGS(±V)**:栅极-源极电压,最大可承受正负20V。

4. **Vth(V)**:阈值电压,当栅极电压达到1.7V时,晶体管开始导通。

5. **VGS=10V时的导通电阻(mΩ)**:在栅极-源极电压为10V时的导通电阻为27mΩ。

6. **ID (A)**:最大漏极电流为45A。

7. **Technology**:采用Trench技术。

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):27
- ID (A):45
- Technology:Trench

封装:TO220F

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和对应模块上的应用示例:

1. **电动汽车领域**:
- **电动汽车电机驱动模块**:用于电动汽车的电机驱动系统中,控制电机的启停和转速,适用于电动汽车的电机控制模块。

2. **工业自动化领域**:
- **工业变频器模块**:作为工业变频器中的功率开关元件,用于控制电机的转速和运行状态,适用于各种工业设备的变频调速模块。

3. **太阳能逆变器领域**:
- **太阳能逆变器模块**:用于太阳能发电系统中的逆变器,将太阳能板产生的直流电转换为交流电输出,适用于太阳能发电系统中的逆变器模块。

4. **电源管理领域**:
- **开关电源模块**:用于开关电源中的功率开关元件,实现电能的转换和稳定输出,适用于各种开关电源设备。

5. **充电器领域**:
- **快充充电器模块**:用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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