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VBMB1615 产品详细

产品简介:

VBMB1615是一款单 N 型 MOSFET,具有60V的核心电压(VDS),±20V的门源电压范围(VGS),以及2.5V的阈值电压(Vth)。在4.5V的门源电压下,漏极-源极电阻为12mΩ;在10V的门源电压下,漏极-源极电阻为10mΩ。最大漏极电流为70A。该产品采用了 Trench 技术制造,封装为TO220F。

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产品参数:

产品型号:VBMB1615
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- 核心电压(VDS):60V
- 门源电压范围(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 4.5V 门源电压时的漏极-源极电阻(mΩ):12
- 10V 门源电压时的漏极-源极电阻(mΩ):10
- 最大漏极电流(ID):70A
- 技术:Trench
封装:TO220F

领域和模块应用:

应用简介:
1. 电源模块:VBMB1615具有适中的漏极电流和较低的漏极-源极电阻,适合用于电源模块中的电源开关和功率调节模块。其高电压和适中的电流特性能够提供稳定可靠的功率输出,同时较低的电阻有助于减少功率损耗。
2. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,需要使用功率开关器件来实现各种电子控制功能,如车载电源开关和驱动控制模块。VBMB1615的高电压和适中的电流特性使其成为汽车电子系统中的理想选择,能够提供稳定可靠的电子控制功能,如车载电池管理和发动机控制。
3. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,需要使用功率开关器件来控制各种电气设备的开关和调节。VBMB1615的高电压和适中的电流特性使其成为工业自动化设备中的理想选择,能够提供稳定可靠的开关控制功能,如工业电机控制和照明调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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