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VBMB1603 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBMB1603是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为60V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220F封装,适用于各种应用场合。

VBMB1603适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源开关、工业控制和汽车电子等领域的模块中。

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产品参数:

产品型号: VBMB1603
品牌: VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=4.5V(mΩ): 5
- VGS=10V(mΩ): 3
- ID (A): 210
- Technology: Trench
封装: TO220F

领域和模块应用:


应用示例:
1. **电源开关模块**: VBMB1603的适中功率和低导通电阻使其非常适合用于电源开关模块中的开关电源电路。例如,在电源适配器或电源变换器中,它可以用作开关管,帮助实现高效的电源转换和稳定的输出。

2. **工业控制模块**: 由于VBMB1603具有较高的最大漏极-源极电压和电流承受能力,因此它也适合用于工业控制模块中的电机驱动电路。例如,在工业机械控制系统中,它可以用作电机控制器,帮助实现各种工业设备的精确控制和高效运行。

3. **汽车电子模块**: 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在汽车电子模块中有广泛的应用。例如,在汽车电动系统中,它可以用作电池管理系统中的保护开关,帮助保护车辆电池免受过流和过压的损害。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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