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VBMB15R18S 产品详细

产品简介:

该产品是一款单 N 型 MOSFET,具有最大漏电压为500V和额定电流为18A的特性。采用了SJ_Multi-EPI技术,可提供稳定的性能和可靠的工作。具有高性能和稳定性,适用于电源变换、汽车电气系统、工业自动化和太阳能逆变器等领域的各种模块设计和制造。

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产品参数:

参数:
- 类型:单 N 型 MOSFET
- 最大漏电压(VDS):500V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 额定电流(ID):18A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:

应用简介:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源变换模块:由于其高电压和高电流特性,可用于设计和制造各种类型的电源变换模块,如变频器、UPS电源等,以实现对电能的变换和调节。
2. 汽车电气系统模块:在汽车电气系统中,该产品可用于设计和制造各种类型的电气系统模块,如车载充电器、车载电机控制器等,以提供车辆的电气功能。
3. 工业自动化控制模块:在工业自动化领域中,该产品可用于设计和制造各种类型的控制模块,如PLC模块、工业电源模块等,以实现对生产过程的控制和调节。
4. 太阳能逆变器模块:在太阳能发电系统中,该产品可用于设计和制造太阳能逆变器模块,以将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供应给电网或用于自用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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