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VBMB15R10S 产品详细

产品简介:

VBMB15R10S是一款Single N结构的功率MOSFET,具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,这种器件适用于工业电源模块,如电源逆变器、变频器等。

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产品参数:

该产品型号为VBMB15R10S,品牌为VBsemi(深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌)。以下是该产品的详细参数和应用简介:

- 类型:Single N
- 最大漏极-源极电压(VDS):500V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):380
- 最大漏极电流(ID):10A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220F

领域和模块应用:


这种产品适用于各种领域和模块,例如:

1. **工业电源模块**:由于具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,这种器件适用于工业电源模块,如电源逆变器、变频器等,用于驱动大功率设备和电机。

2. **太阳能逆变器**:VBMB15R10S的高耐压特性使其适合用于太阳能逆变器中,将太阳能板产生的直流电转换为交流电以供给电网或用于独立电力系统。

3. **电动汽车充电器**:在电动汽车充电器中,这种器件可以用作功率开关器件,实现电动汽车电池的快速充电和电能转换。

4. **工业自动化控制系统**:由于其高电压和电流特性,该器件适用于工业自动化控制系统中的电力调节器和开关控制器,用于实现工厂设备的智能控制和能效优化。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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