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VBMB15R07S 产品详细

产品简介:

VBMB15R07S是一款Single N结构的功率MOSFET,主要特点包括高电压承受能力、低阈值电压、低漏极-源极电阻以及适用于多重外延工艺(SJ_Multi-EPI)。其TO220F封装使其适用于需要高电压承受能力、低阈值电压和高电流承受能力的场景,包括工业电源模块、电动汽车充电桩、工业自动化控制模块等领域。

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产品参数:

参数:
- 结构类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):500V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 漏极-源极电阻(VGS=10V):550 mΩ
- 漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
封装:TO220F

领域和模块应用:

举例说明:
1. 工业电源模块:
由于VBMB15R07S具有较高的漏极-源极电压(500V)和漏极电流(7A)特性,适合用于工业电源模块中作为开关管,用于控制和调节高压、大电流的电源输出。

2. 电动汽车充电桩:
在电动汽车充电桩中,需要具备耐高压和高电流的功率MOSFET来实现快速充电功能。VBMB15R07S的高电压承受能力和低阈值电压特性使其成为充电桩中的理想选择。

3. 工业自动化控制模块:
在工业自动化控制领域,需要使用功率MOSFET来实现对各种工业设备的精确控制。VBMB15R07S的低漏极-源极电阻和高电流承受能力使其适用于工业自动化控制模块中的电源开关和电流调节功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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