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VBMB155R24 产品详细

产品简介:

VBMB155R24是一款Single N结构的功率MOSFET,具有550V的额定漏极-源极电压、低阈值电压和较低的漏极-源极电阻。采用Plannar技术制造,TO220F封装适用于适用于需要高功率承受能力、低阈值电压和低漏极-源极电阻的场景,包括工业变频器、高效电源模块、太阳能逆变器等领域。

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产品参数:

参数:
- 结构类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):550V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 漏极-源极电阻(VGS=10V):200 mΩ
- 漏极电流(ID):24A
- 技术:Plannar
封装:TO220F

领域和模块应用:

举例说明:
1. 工业变频器:
VBMB155R24具有较高的漏极电流和低漏极-源极电阻,适合作为工业变频器中的功率开关元件,用于实现电机的精确控制和调速功能。

2. 高效电源模块:
在高效电源模块中,需要使用功率MOSFET来实现高效的功率转换。VBMB155R24的TO220F封装和Plannar技术使其适用于高效电源模块中的功率开关和电流调节功能。

3. 太阳能逆变器:
在太阳能逆变器中,需要使用功率MOSFET来实现对太阳能电池板产生的直流电的逆变为交流电。VBMB155R24的高漏极电流和低漏极-源极电阻特性使其成为逆变器中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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