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VBMB155R01 产品详细

产品简介:

该产品是一款单 N 型 MOSFET,具有最大漏电压为550V和额定电流为1A的特性。采用了Plannar技术,可提供稳定的性能和可靠的工作。适用于小功率电源、低压电路控制、模拟信号开关和电池保护等领域的各种模块设计和制造。

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产品参数:

产品型号:VBMB155R01
品牌:VBsemi
所属公司:深圳市微碧半导体有限公司
参数:
- 类型:单 N 型 MOSFET
- 最大漏电压(VDS):550V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 额定电流(ID):1A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220F

领域和模块应用:


应用简介:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 小功率电源模块:由于其低额定电流特性,可用于设计和制造各种类型的小功率电源模块,如手机充电器、电子设备的电源管理模块等。
2. 低压电源开关模块:在低压电路控制领域中,该产品可用于设计和制造低压电源开关模块,如家用电器的电源开关模块、低功耗设备的电源管理模块等。
3. 模拟信号开关模块:在模拟电路控制领域中,该产品可用于设计和制造模拟信号开关模块,如音频设备的信号开关模块、控制电路的模拟开关模块等。
4. 电池保护模块:在电池管理领域中,该产品可用于设计和制造各种类型的电池保护模块,如锂电池保护模块、蓄电池管理模块等,以保护电池免受过充、过放和短路等危害。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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