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VBMB1311 产品详细

产品简介:

该产品是一款单体N沟道MOSFET,适用于30V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压。阈值电压为1.7V,漏极电流可达68A,采用Trench技术制造。封装为TO220F。适用于多种领域和模块,特别适用于电动车辆、工业电源和高性能电源等需要高功率和高性能的应用场合。

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产品参数:

参数:
- 单体N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(RDS(on)): 2 mΩ
- 在VGS=10V时的导通电阻(RDS(on)): 1 mΩ
- 最大漏极电流(ID): 68A
- 技术: Trench
封装: TO220F

领域和模块应用:

这款MOSFET适用于许多领域和模块,以下是一些例子:

1. 电动车辆模块:适用于电动汽车和电动自行车的电动控制模块,如电机驱动器和电池管理系统,提供高效的电能转换和稳定的电机控制。

2. 工业电源模块:在工业设备和机械中,可用于高功率工业电源和电源逆变器等模块,提供可靠的电源供应和稳定的电能输出。

3. 电源放大模块:适用于音响放大器和功率放大器等模块,可实现高质量的音频放大和功率放大,提供清晰、稳定的音频输出。

4. 高性能电源模块:适用于服务器和数据中心的电源管理系统,如UPS和服务器电源供应器等模块,提供高效的电能转换和可靠的电源保障。

5. 电力电子模块:在变频空调和变频驱动器等电力电子产品中,可用于功率因数校正和电能调节等模块,提供稳定的电能供应和节能效果。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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