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VBMB1302 产品详细

产品简介:

VBMB1302是一款单N型MOSFET,具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth)、3mΩ(VGS=4.5V)和2mΩ(VGS=10V)的导通电阻(RDS(on)),以及180A的漏极电流(ID)。采用Trench工艺制造,封装为TO220F。

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产品参数:

参数:
- 单N型
- VDS(V):30
- VGS(±V):20
- Vth(V):1.7
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ):3
- RDS(on) VGS=10V(mΩ):2
- ID (A):180
- Technology:Trench
封装:TO220F

领域和模块应用:

由于其高漏极电流和低导通电阻特性,VBMB1302适用于需要高功率和高效率的电路设计和模块应用。例如,
在电源模块中,可用于直流-直流(DC-DC)转换器和直流-交流(DC-AC)逆变器中的功率开关;
在工业控制系统中,可用于电机控制器和电源开关模块等领域。
此外,由于其TO220F封装,具有良好的散热性能,适用于需要长时间高功率工作的应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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