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VBMB1252M 产品详细

产品简介:

VBMB1252M是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有以下详细参数:

- VDS(V): 250V - 漏极-源极电压
- VGS(±V): 20V - 栅极-源极电压
- Vth(V): 3.5V - 阈值电压
- VGS=10V(mΩ): 200mΩ - 在栅极-源极电压为10V时的导通电阻
- ID (A): 16A - 漏极电流
- Technology: Trench - 使用沟槽技术制造
- 封装: TO220F - TO220F封装形式

VBMB1252M MOSFET适用于需要高功率、高电压和高效能量转换的应用,包括电源模块、电机控制模块和电源逆变模块等领域。

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产品参数:

参数: Single N
VDS(V): 250
VGS(±V): 20
Vth(V): 3.5
VGS=10V(mΩ): 200
ID (A): 16
Technology: Trench
封装: TO220F

领域和模块应用:

VBMB1252M适用于多种领域和模块,例如:

1. 电源模块: 由于其高漏极-源极电压(250V)和适中的漏极电流(16A)能力,VBMB1252M适用于电源模块,如开关电源、逆变器和DC-DC转换器。其低导通电阻(200mΩ)和沟槽技术制造的优势使其能够实现高效能量转换和稳定性能。

2. 电机控制模块: 该器件适用于电机控制模块,如电动工具、家用电器和汽车电动驱动器。其高电压和电流承受能力以及低导通电阻可以满足电机控制模块对高功率和高效能量转换的要求。

3. 电源逆变模块: VBMB1252M适用于电源逆变模块,例如太阳能逆变器、UPS系统和电动车辆逆变器。其高效能量转换和稳定性能使其能够实现电能的高效转换和可靠输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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