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VBMB1251K 产品详细

产品简介:

VBMB1251K是一款单N沟道MOSFET,具有高达250V的额定漏极-源极电压和4.4A的漏极电流。其特点包括±20V的标准栅极-源极电压、3V的阈值电压以及1100毫欧的漏极-源极电阻。该器件采用Trench技术,封装为TO220F。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS): 250V
- 标准栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极-源极电阻(毫欧): 1100
- 漏极电流(ID): 4.4A
- 技术: Trench
封装: TO220F

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电源开关模块: 由于VBMB1251K具有较高的额定电压和适中的漏极电流,适用于各种电源开关模块,如开关电源和直流稳压器。在开关电源中,它可以用作开关电路的功率开关器件,实现电压转换和电流控制。
2. 电动工具: 该MOSFET可用于电动工具中的电机控制模块,如电动钻机和电动锤。其高电压和低漏极-源极电阻特性确保了电动工具的高效运行和长期稳定性。
3. 太阳能逆变器: 在太阳能逆变器中,VBMB1251K可用作高压开关器件,帮助实现光伏电池到电网的能量转换。其高额定电压和稳定的性能确保了太阳能逆变器系统的高效运行和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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