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VBMB1206 产品详细

产品简介:

该产品是单N沟道MOSFET,具有高性能和可靠性,适用于各种高功率和高电流的应用场景,能够满足工业、汽车和消费电子等领域的需求。
具有以下主要参数:
- 最大漏极-源极电压(VDS): 20V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 0.5~1.5V
- 在VGS=2.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 8mΩ
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 6mΩ
- 最大漏极电流(ID): 110A
- 技术特点: 沟道型

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产品参数:

产品型号: VBMB1206
品牌: VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 20
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 0.5~1.5
- RDS(on) VGS=2.5V(mΩ): 8
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ): 6
- ID (A): 110
- Technology: Trench
封装: TO220F

领域和模块应用:

应用简介:
VBMB1206适用于各种领域的高功率应用,特别适用于需要高电流和低电阻的场合。以下是该产品在不同领域和模块中的应用示例:

1. 电动车电池管理模块:
- 电动车电池充放电保护系统:用于电动车电池组的安全管理和充放电控制,确保电池组的稳定运行和寿命。
- 电动车电机驱动器:用于控制电动车的电机转速和动力输出,如电动汽车、电动自行车等。

2. 工业电源模块:
- 高功率开关电源:用于工业设备和机械的电源供应,如数控机床、焊接设备等。
- 高效能量转换器:用于将不同电压等级的电源转换为所需的电压和电流,如UPS系统、太阳能逆变器等。

3. 高性能音响功放模块:
- 高保真音响功率放大器:用于音响系统的功率放大和音质提升,如家庭影院系统、专业音响设备等。
- 车载音响功放器:用于汽车音响系统的功率放大和声音效果增强,提供更好的音乐体验。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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