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VBMB1203M 产品详细

产品简介:

vVBMB1203M是VBsemi公司生产的单通道N型MOSFET,具有可靠的性能和高质量的制造。它具有200V的漏极-源极电压,±20V的栅极-源极电压(最大值),以及3V的阈值电压。采用沟道深沟工艺(Trench),具有较低的导通电阻和最大10A的漏极电流,适用于多种高压、高电流的应用场景。

VBMB1203M作为一款高性能、可靠性强的单通道N型MOSFET,适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。

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产品参数:

**参数:**
- **Single N:** 单通道N型MOSFET
- **VDS(V):** 漏极-源极电压:200V
- **VGS(±V):** 栅极-源极电压(最大值):±20V
- **Vth(V):** 阈值电压:3V
- **VGS=10V(mΩ):** 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:265mΩ
- **ID (A):** 最大漏极电流:10A
- **Technology:** 沟道深沟工艺(Trench)
- **封装:** TO220F

领域和模块应用:


**应用简介:**
VBMB1203M适用于多个领域和模块,包括但不限于:

1. **电源模块:** 由于其高耐压和较高的电流特性,VBMB1203M可用于电源模块中的开关电源和电源控制电路。它能够提供可靠的功率开关功能,并保持系统的稳定性。

2. **电动车充电器:** 在电动车充电器中,VBMB1203M可以作为电源开关和电池充电控制器的关键元件。其高电压和高电流能力使其能够有效地管理电动车的充电过程。

3. **工业自动化:** 在工业自动化系统中,VBMB1203M可用于各种控制和驱动模块,如电机控制、传感器接口和执行器控制等。其可靠性和性能使其成为工业环境下的理想选择。

4. **UPS系统:** 对于需要高效稳定电源的UPS系统,VBMB1203M可以用作功率开关和电源控制器,确保UPS系统的可靠性和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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