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VBMB1101M 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBMB1101M是一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。

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产品参数:

**参数:**
- **类型:** Single N
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.8V
- **在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ):** 86mΩ
- **最大漏极电流 (ID):** 18A
- **技术:** Trench
- **封装:** TO220F

领域和模块应用:

**举例说明:**
1. **LED驱动模块:**
VBMB1101M可用作LED驱动模块中的功率开关器件,用于控制LED灯的亮度和色温。其低阈值电压和漏极-源极电阻有助于减小开关损耗,提高LED驱动器的效率和稳定性,适用于各种室内和室外LED照明系统。

2. **低功率电源模块:**
在低功率电源模块中,VBMB1101M可用作开关电源模块中的功率开关器件,用于转换电源的直流电压。其高漏极-源极电压和低阈值电压特性能够支持小型电子设备的供电需求,如家用电器、移动充电器等。

3. **汽车电子模块:**
作为汽车电子模块中的功率开关器件,VBMB1101M可用于控制汽车电子系统中的各种功能,如车灯控制、电动窗户控制等。其高漏极-源极电压和电流容量能够支持汽车电子系统的稳定运行,同时低阈值电压和漏极-源极电阻有助于提高能效和延长电池续航时间。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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