VBM2658 - VBsemi MOS管制造商

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VBM2658是VBsemi品牌的单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。VBM2658的高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。
该器件采用槽沟技术制造，采用TO220封装。

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产品参数：

具有以下主要参数：

- 额定漏极-源极电压（VDS）：-60V
- 门-源电压（VGS）范围：±20V
- 阈值电压（Vth）：-1.7V
- 门-源电压为4.5V时的漏极-源极电阻（RDS(on)）：56mΩ
- 门-源电压为10V时的漏极-源极电阻（RDS(on)）：48mΩ
- 最大漏极电流（ID）：-45A

领域和模块应用：

槽沟技术的应用使其在各种应用中具有出色的性能。例如，
在电源管理模块中，VBM2658可用于开关稳压器、DC-DC转换器等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用，如工业控制系统中的电源模块、电动汽车驱动器等。此外，其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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MOSFET

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