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VBM2610N 产品详细

产品简介:

VBM2610N是一款单P通道功率MOSFET,具有-60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和-1.7V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为4.5V时,导通时的导通电阻为74mΩ;在栅极-源极电压为10V时,导通时的导通电阻为62mΩ。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为-40A,采用Trench技术制造。

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产品参数:

**VBM2610N**

**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 类型: Single P
- 漏极-源极电压(VDS): -60V
- 栅极-源极电压(VGS)(±V): 20
- 阈值电压(Vth)(V): -1.7
- 栅极-源极电压为4.5V时导通时的导通电阻(mΩ): 74
- 栅极-源极电压为10V时导通时的导通电阻(mΩ): 62
- 最大漏极电流(ID)(A): -40
- 技术: Trench

**封装:** TO220

领域和模块应用:

VBM2610N适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. **电源管理模块:** 由于其高漏极电流和低导通电阻,VBM2610N非常适用于电源管理模块,如DC-DC转换器、开关电源和稳压器。它能够提供高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **电动车辆控制系统:** 在电动车辆领域,该MOSFET可用于电动汽车、电动自行车和电动滑板车等车辆的电动控制系统,包括电机驱动器、电池管理系统和充电器。其高性能和耐用性能够确保电动车辆的高效运行和长续航里程。

3. **工业自动化模块:** VBM2610N适用于工业自动化模块,如工业机器人、自动化控制系统和生产线设备。其高电压容忍度和稳定的开关性能能够满足工业环境中的高负载和频繁的开关操作。

4. **通信设备模块:** 在通信领域,该MOSFET可用于通信设备模块,如基站功率放大器、信号放大器和射频调节器。其高性能和可靠性有助于提高通信设备的性能和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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