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VBM2251K 产品详细

产品简介:

VBsemi推出的VBM2251K是一款单P型沟道MOSFET,适用于各种功率电子应用。

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产品参数:

该器件的主要参数包括最大漏极-源极电压(VDS)为-250V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为-2V。在VGS为4.5V时,漏极-源极电阻为1200mΩ,而在VGS为10V时,漏极-源极电阻为1000mΩ。此外,该器件的最大漏极电流(ID)为-7A,采用沟道工艺(Trench),封装为TO220。

领域和模块应用:

对于应用方面,VBM2251K适合用于各种需要控制功率的电路和模块中。举例来说,在电源模块中,它可以用作开关管,用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器等应用。在电机驱动模块中,它可以作为电机的开关管,用于控制电机的启停和转速。在照明模块中,它可以用于LED驱动电路中的开关控制,实现照明系统的调光和调色。此外,在电动车充电器和逆变器模块中,VBM2251K也可以发挥重要作用,用于控制电源的输出和充放电过程。

总的来说,VBM2251K适用于各种需要控制功率和电流的领域和模块,如电源、电机驱动、照明和电动车充电器等,为这些应用提供稳定可靠的性能和高效的功率控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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