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VBM2205M 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
VBsemi的VBM2205M是一款高性能的功率MOSFET,采用沟槽技术制造,具有优异的电性能和稳定性。其漏极-源极电压高达-200V,适用于高压应用场景。栅极-源极电压范围广泛,为±20V,灵活适配不同的控制电路。阈值电压为-3.5V,能够在低电压条件下实现可靠的导通。此外,VBM2205M具有低漏极电流和低导通电阻,在高电流负载下表现出色。

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产品参数:

**VBsemi VBM2205M**

**产品参数:**
- **品牌:** VBsemi
- **类型:** 单P (Single P)
- **漏极-源极电压 (VDS):** -200V
- **栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** -3.5V
- **栅极电压为4.5V时的导通电阻 (mΩ):** 648
- **栅极电压为10V时的导通电阻 (mΩ):** 500
- **漏极电流 (ID):** -11A
- **技术:** Trench (沟槽)
- **封装:** TO220



领域和模块应用:

**应用示例:**
- **电源模块:** 由于VBM2205M具有高漏极-源极电压和低导通电阻,适用于电源模块中的开关电源、DC-DC转换器等高压应用。
- **电机驱动:** 在电机驱动模块中,VBM2205M可用于控制电机的功率开关,实现高效能量转换和电机控制。
- **电动汽车充电器:** 由于其高压耐受能力和稳定性,VBM2205M可应用于电动汽车充电器模块中,提供可靠的功率转换和电池充电控制。
- **工业自动化:** 在工业自动化设备中,VBM2205M可用于控制高压设备和电路,实现精确的控制和高效能量转换。

这些示例展示了VBM2205M在不同领域和模块中的灵活应用,充分发挥其高性能和稳定性的优势。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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