MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBM2101N 产品详细

产品简介:

VBM2101N是VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,采用沟槽工艺(Trench)。该产品采用TO220F封装。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

具有以下参数:
最大漏极-源极电压(VDS)为-100V,最大门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为-2V。
在门源电压为4.5V时,漏极-源极电阻为13mΩ;在门源电压为10V时,漏极-源极电阻为11mΩ。其最大漏极电流(ID)为-100A

领域和模块应用:


VBM2101N晶体管适用于多种领域和模块。
例如,在功率放大模块中,它可以用于音频放大器、功率放大器和电源开关。由于其高漏极-源极电流和低漏极-源极电阻,该晶体管特别适合用于需要高功率密度和高效率的应用。在电源管理模块中,它可用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器。此外,在工业控制模块中,它可用于电机控制、电源保护和电源管理。总之,VBM2101N晶体管在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供高性能和可靠性的支持。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询