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VBM2101M 产品详细

产品简介:

VBM2101M是VBsemi品牌推出的一款单P通道沟道场效应管(MOSFET),VBM2101M作为一款功能强大、性能稳定的单P通道MOSFET,适用于多种领域和模块,可实现电源开关控制、功率管理和信号放大等功能。

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产品参数:

具有以下参数和特性:

- **VDS(V):** 最大漏极-源极电压为-100V,适用于中等电压的应用场景。
- **VGS(±V):** 门源极电压范围为±20V,提供较大的控制范围。
- **Vth(V):** 阈值电压为-2V,表示在此电压下开始导通。
- **VGS=4.5V(mΩ):** 在门源极电压为4.5V时的漏极-源极电阻为120mΩ。
- **VGS=10V(mΩ):** 在门源极电压为10V时的漏极-源极电阻为100mΩ。
- **ID (A):** 最大漏极电流为-23A,适用于较高电流的应用。
- **Technology:** 采用Trench工艺制造,具有良好的性能和稳定性。
- **封装:** 采用TO220封装,适用于一般功率应用场景。

领域和模块应用:

该产品适用于多种领域和模块,例如:

在电源管理模块中,VBM2101M可用作开关管,用于电源开关控制和功率管理,例如在电源逆变器、DC-DC转换器和LED驱动器中。

在汽车电子模块中,VBM2101M可用于汽车电动机驱动器和控制器,用于电池管理系统和车载电子设备的电源开关控制。

在工业自动化领域,VBM2101M可用于工业机器人、PLC控制器和变频器等设备中的功率开关控制,以实现精确的运动控制和能耗管理。

在通信设备模块中,VBM2101M可用于通信基站的功率放大器和电源管理单元,以实现信号放大和稳定的电源供应。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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