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VBM19R20S 产品详细

产品简介:

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VBM19R20S是VBsemi生产的单N沟道MOSFET,具有900V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220。该产品具有高漏极电流和适中的导通电阻,适用于多种高功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:

- VDS(漏极-源极电压):900V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):270mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:




适用领域和模块举例:

1. 工业电源模块:由于VBM19R20S具有高漏极电流和适中的导通电阻,适用于工业电源模块中的开关电源和逆变器模块。
2. 高性能电动汽车充电桩:可用于高功率电动汽车充电桩中的功率开关和控制电路,实现快速充电。
3. 高功率LED照明:适用于高功率LED照明应用中的功率开关和调光控制,提供强劲的照明解决方案。
4. 工业自动化设备:在工业自动化领域中,该产品可用于PLC、变频器和伺服驱动器等设备中的功率开关和控制电路。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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