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VBM19R07S 产品详细

产品简介:

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VBM19R07S是VBsemi品牌推出的单N沟道功率MOSFET,具有900V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门-源电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220。该产品适用于各种功率电子应用,具有可靠性和高效能量转换特性。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBM19R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):900V
- 门-源电压(VGS):30V(正负)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):950
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源变换器:由于其高漏极-源极电压和适中的漏极电流,VBM19R07S适用于各种电源变换器,如开关电源、AC-DC转换器等。
2. 电动车辆:作为电动车辆中的功率开关元件,该MOSFET可用于控制电机的启停和速度调节,提高电动车辆的性能和效率。
3. 工业自动化:在工业控制系统中,VBM19R07S可用于各种电机驱动和功率开关应用,如工厂自动化设备、机械臂等。
4. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的功率开关元件,该产品可以实现太阳能电能的高效转换和输出。
5. 电源管理模块:在各种电源管理模块中,VBM19R07S可用于功率开关控制,如电源开关、电压稳定器等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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