VBM19R05SE - VBsemi MOS管制造商

VBM19R05SE 产品详细

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产品简介：

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VBsemi的VBM19R05SE型号是一款单N沟道场效应晶体管（Single N），具有以下主要参数：
- 额定漏极-源极电压（VDS）：900V
- 额定栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻（mΩ）：1000
- 最大漏极电流（ID）：5A
- 技术：SJ_Deep-Trench
- 封装：TO220

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产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBM19R05SE
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应晶体管
- 额定电压：VDS=900V，VGS=±30V
- 阈值电压：Vth=3.5V
- 漏极-源极导通电阻（VGS=10V时）：1000mΩ
- 最大漏极电流：5A
- 技术：SJ_Deep-Trench
- 封装：TO220

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
- 工业电源模块：由于其高额定电压和较大的漏极电流，适用于工业领域中需要稳定高电压输出的电源模块。
- 可再生能源系统：可用于太阳能或风能发电系统的逆变器模块，提供高效的功率转换。
- 汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制模块，如电动汽车的逆变器和充电桩。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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