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VBM19R05S 产品详细

产品简介:

该型号产品简介:

VBM19R05S 是 VBsemi 公司生产的单路 N 型 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO220。该产品具有以下主要特点:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为 900V,能够承受较高的电压。
- 标准门源电压(VGS)为 ±30V,门阈电压(Vth)为 3.5V,可适用于多种驱动电路。
- 在 VGS=10V 时,导通电阻为 1500mΩ,具有较低的导通电阻,有利于降低功耗和提高效率。
- 最大漏极电流(ID)为 5A,适用于中小功率的应用场合。

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产品参数:

该型号产品详细参数说明:

1. 产品型号:VBM19R05S
2. 品牌:VBsemi
3. 参数:
- 类型:单路 N 型 MOSFET
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220
- 额定漏极-源极电压(VDS):900V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 门阈电压(Vth):3.5V
- VGS=10V 时导通电阻:1500mΩ
- 最大漏极电流(ID):5A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 电力电子领域:VBM19R05S 可用于开关电源、逆变器、稳压器等电力电子设备中,用于实现功率开关控制和电源管理。
2. 工业自动化设备:在工业自动化领域,该型号的 MOSFET 可用于控制电机、执行器和传感器等设备,实现自动化生产和工艺控制。
3. LED 照明应用:VBM19R05S 可用作 LED 驱动器中的功率开关元件,帮助实现 LED 灯具的高效驱动和调光控制,应用于室内照明、路灯等领域。
4. 新能源领域:在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的 MOSFET 可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。
5. 汽车电子领域:VBM19R05S 可应用于汽车电子控制单元(ECU)、电动汽车驱动系统等模块中,实现车辆的动力控制和电子辅助功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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