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VBM195R09 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBM195R09 是 VBsemi 公司推出的单 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 Plannar 技术。该产品具有高耐压、低导通电阻等特点,适用于各种功率电子应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBM195R09
- 类型:单 N 型功率 MOSFET
- 额定电压(VDS):950V
- 门源电压范围(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为 10V 时的导通电阻(RDS(on)):1700 mΩ
- 额定电流(ID):9A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源适配器:由于 VBM195R09 具有适中的电压和电流参数,可用于电源适配器中的开关电源和稳压器模块。
2. LED 灯驱动器:在 LED 照明领域,VBM195R09 可作为 LED 灯驱动器中的功率开关器件,用于 LED 灯的调光和驱动。
3. 工业控制器件:该器件的高耐压和低导通电阻特性使其适合用于工业控制器件中的功率开关模块,如电机控制器和温度控制器。

以上是对 VBM195R09 产品的简介、详细参数说明和适用领域的语段形式举例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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