VBM195R06 - VBsemi MOS管制造商

VBM195R06 产品详细

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产品简介：

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VBsemi的VBM195R06型号是一款单N沟道场效应晶体管（Single N），具有以下主要参数：
- 额定漏极-源极电压（VDS）：950V
- 额定栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻（mΩ）：2400
- 最大漏极电流（ID）：6A
- 技术：Plannar
- 封装：TO220

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产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBM195R06
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应晶体管
- 额定电压：VDS=950V，VGS=±30V
- 阈值电压：Vth=3.3V
- 漏极-源极导通电阻（VGS=10V时）：2400mΩ
- 最大漏极电流：6A
- 技术：Plannar
- 封装：TO220

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
- 工业高压电源模块：适用于需要高额定电压和较大漏极电流的工业电源模块，如高压电力设备和高压工业控制系统。
- 电动车电源系统：可用于电动车的逆变器和电机驱动器模块，提供高效的电能转换和驱动控制。
- 太阳能逆变器：适用于太阳能发电系统中的逆变器模块，实现太阳能电能的转换和输出。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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