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VBM195R03 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBM195R03 是一款单 N 型 MOSFET,具有优秀的电性能和可靠性。采用了 Plannar 技术,漏极-源极电压(VDS)高达 950V,适用于各种电力应用场景。该产品封装为 TO220,易于安装和使用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBM195R03
- 品牌:VBsemi
- 类型:单 N 型 MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):950V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.3V
- 在 VGS=10V 时的漏极-源极电阻(mΩ):5400
- 最大漏极电流(ID):3A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220

领域和模块应用:


应用举例:
该产品适用于多种领域和模块,例如:
1. 电源系统:由于具有较高的漏极-源极电压和低漏极-源极电阻,可用于开关电源、直流-直流转换器等电源模块。
2. 照明控制:可用于 LED 照明控制电路中的功率开关部件,实现灯光的调节和控制。
3. 医疗设备:适用于各种医疗设备中的电源控制和电气控制模块,如医用成像设备、医疗监护仪等。
4. 工业自动化:可用于工业自动化系统中的电机控制、变频器等模块,提高系统的稳定性和效率。

以上是该产品在不同领域和模块中的一些应用举例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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