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VBM18R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBM18R11S是VBsemi公司推出的单N沟道功率MOSFET产品,采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO220。该产品具有800V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth)等特点。它能够承受最大11A的漏极电流(ID),并且在VGS=10V时具有500mΩ的导通电阻。VBM18R11S适用于各种功率电子应用场景,为电源系统和电气控制提供高效稳定的性能。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBM18R11S
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:500mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源变换器:VBM18R11S可用于工业电源变换器中的开关电源模块,提供高效的电源转换和稳定的输出。
2. 电机驱动控制:在各种工业自动化设备中,该产品可用于电机驱动控制模块,提高设备的运行效率和响应速度。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBM18R11S可用于直流到交流的能量转换,实现太阳能系统的高效稳定输出。
4. 电动汽车控制:作为电动汽车控制系统的关键元件,该产品可用于电动汽车的驱动电路和电源管理模块,确保车辆的安全和性能。
5. LED照明系统:在LED照明系统中,VBM18R11S可用于功率驱动电路,实现LED灯的高效亮度调节和节能控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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