产品简介：
VBM18R07S是VBsemi公司推出的单N沟道场效应管产品，采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO220。该产品具有800V的漏极-源极电压（VDS）、30V的最大栅极-源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth）、850mΩ的栅极-源极电阻（RDS(on)）以及7A的漏极电流（ID）。适用于各种领域和模块的电源、开关和放大电路。

VBM18R07S是一款性能稳定、适用广泛的场效应管产品，可广泛应用于电源、开关和驱动等领域和模块。