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VBM18R06SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBM18R06SE是一款单N沟道功率MOSFET,具有高达800V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用了SJ_Deep-Trench技术制造,封装为TO220。该MOSFET适用于多种功率电子应用,提供可靠的性能和高效的能量转换。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBM18R06SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):800V
- 门-源电压(VGS):30V(正负)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):750
- 最大漏极电流(ID):6A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源适配器:由于其较低的漏极电流和高漏极-源极电压,VBM18R06SE适用于各种电源适配器,如笔记本电脑充电器、手机充电器等。
2. 照明系统:在LED照明系统中,该MOSFET可用于驱动LED灯珠,实现灯光的调光和开关控制。
3. 电动工具:在电动工具中,VBM18R06SE可用于驱动电机,如电动钻、电动锤等,实现高效的功率传输和控制。
4. 电动车辆:作为电动车辆中的功率开关元件,该MOSFET可以用于控制电机的启停和速度调节,提高电动车辆的性能和效率。
5. 工业自动化:在工业控制系统中,VBM18R06SE可用于各种电机驱动和功率开关应用,如工厂自动化设备、机械臂等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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