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VBM18R05SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBM18R05SE是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Deep-Trench技术,封装为TO220。该产品具有高达800V的漏极-源极电压(VDS),并且能够承受±30V的栅极-源极电压(VGS)。具有3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时,具有1000mΩ的导通电阻。额定漏极电流(ID)为5A,适用于各种工业和电子应用领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBM18R05SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:1000mΩ
- 额定漏极电流(ID):5A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:由于VBM18R05SE具有高电压和较低的导通电阻,适用于工业电源模块中的开关电源、逆变器和变换器等部分。
2. 电动车电源控制:在电动车的充电和驱动系统中,需要承受较高的电压和电流,VBM18R05SE可作为电源开关和控制器,用于电动车的电源管理和电机驱动。
3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,逆变器用于将直流电转换为交流电,VBM18R05SE可用作太阳能逆变器的关键部件,帮助实现能源的高效转换。
4. 工业控制模块:在工业自动化领域,控制模块需要可靠的功率开关器件来实现各种功能,VBM18R05SE可用于工业控制模块中的开关控制和电源管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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