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VBM185R07 产品详细

产品简介:

产品简介:
型号:VBM185R07
品牌:VBsemi
封装:TO220
特点:单N沟道场效应晶体管,采用Plannar技术,具有850V的漏源电压(VDS),30V的门源电压(VGS),3.5V的阈值电压(Vth),最大持续漏极电流7A(ID),低通态电阻为1700mΩ(VGS=10V)。

VBM185R07产品在电源管理、照明、电动工具和汽车电子等领域的广泛应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 晶体管类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏源电压(VDS):850V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 低通态电阻(VGS=10V):1700mΩ
- 最大持续漏极电流(ID):7A
- 技术:采用Plannar技术

领域和模块应用:

产品应用:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源开关:由于具有较高的漏源电压和持续漏极电流,适用于电源开关模块,如开关电源和稳压器。
2. 照明驱动:可用于LED照明驱动器模块,提供稳定的电流输出,驱动LED灯具。
3. 电动工具:适用于电动工具驱动模块,提供可靠的功率输出,驱动电动工具的电动机。
4. 汽车电子:可用于汽车电子模块,如车载电源管理系统和车载电机驱动器,确保汽车电子设备的可靠运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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