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VBM1808 产品详细

产品简介:

VBM1808是一款单N沟道MOSFET,具有80V的漏极-源极电压耐受能力。其特点包括低门源压降(Vth=3V)、低导通电阻(最低可达7mΩ)、高通流电流(最大可达100A),采用Trench工艺制造,封装为TO220。

VBM1808适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。

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产品参数:

产品型号:VBM1808
品牌:VBsemi
参数:
- 电压参数:
- VDS(V):80V
- VGS(±V):20V
- Vth(V):3V
- 电阻参数:
- VGS=4.5V时的导通电阻:9mΩ
- VGS=10V时的导通电阻:7mΩ
- 最大电流:100A
- 技术:Trench
封装:TO220

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电源模块**:由于VBM1808具有较高的漏极-源极电压耐受能力和大电流特性,适合用于电源模块中的功率开关,能够在高压高电流的情况下提供稳定的电源输出。

2. **电机驱动**:在电机控制领域,VBM1808可作为电机驱动模块的关键元件,用于控制电机的启停、速度调节等功能,其低导通电阻和高通流电流特性能够有效提高电机的效率和响应速度。

3. **光伏逆变器**:在太阳能光伏逆变器中,VBM1808可用作开关管,用于将直流太阳能电池板产生的电能转换为交流电,其高电压耐受能力和大电流特性确保了逆变器的稳定工作。

4. **电动汽车充电桩**:作为电动汽车充电桩中的关键部件,VBM1808可实现充电桩对电动汽车电池的快速充电和稳定输出,确保充电过程的安全和高效。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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