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VBM17R20SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBM17R20SE 是一款 Single N 型 MOSFET,具有以下特点:
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO220
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:165 mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBM17R20SE
- 产品类型:Single N 型 MOSFET
- 品牌:VBsemi
- 封装类型:TO220
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:165 mΩ
- 最大漏极电流(ID):20A

领域和模块应用:

a适用领域和模块举例:
1. 电动汽车电机驱动器:VBM17R20SE 具有高电流和低导通电阻的特点,适用于电动汽车电机驱动器中的功率开关模块,用于控制电动汽车的电动驱动系统。
2. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,需要高电压和高电流的开关器件来实现太阳能电能转换,VBM17R20SE 的参数使其成为一种适用于这种应用的选择。
3. 电源供应模块:由于 VBM17R20SE 具有高功率和高效率的特点,适用于电源供应模块,如电源逆变器和电源开关模块,用于工业和消费电子设备中的电源管理和功率转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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