VBM17R20S - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

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VBM17R20S是VBsemi品牌的单N沟道场效应管，具有700V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），以及3.5V的阈值电压（Vth）。该产品采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO220。其主要特点是具有210mΩ的导通电阻（在VGS=10V时）和20A的漏极电流（ID）。

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产品参数：

详细参数说明：
- 型号：VBM17R20S
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应管
- 漏极-源极电压（VDS）：700V
- 栅极-源极电压（VGS）：30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（VGS=10V时）：210mΩ
- 漏极电流（ID）：20A
- 技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO220

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. 电动汽车电机驱动：VBM17R20S的高耐压和高漏极电流使其适用于电动汽车电机驱动系统中的逆变器和直流-直流转换器。
2. 工业电源模块：产品的低导通电阻和高漏极电流特性使其成为工业电源模块中的理想选择，可用于高功率开关电源控制。
3. 太阳能逆变器：在太阳能逆变器中，VBM17R20S可用于实现高效率的直流-交流转换，将太阳能电能转化为可用的交流电。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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