VBM17R15SE - VBsemi MOS管制造商

VBM17R15SE 产品详细

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产品简介：

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VBM17R15SE 是 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET。该产品适用于各种需要高性能和可靠性的应用场合。具有 700V 的 VDS 评级和 15A 的连续漏极电流（ID），采用 SJ_Deep-Trench 技术，确保在各种环境下的稳定和可靠性。

详细参数说明：
- VDS(V)：漏极-源极电压 - 700V
- VGS(±V)：栅极-源极电压（±） - 30V
- Vth(V)：阈值电压 - 3.5V
- VGS=10V(mΩ)：在 VGS=10V 时的导通电阻 - 260 mΩ
- ID (A)：连续漏极电流 - 15A
- Technology：SJ_Deep-Trench

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产品参数：

参数：Single N
VDS(V)：700
VGS(±V)：30
Vth(V)：3.5
VGS=10V(mΩ)：260
ID (A)：15
Technology：SJ_Deep-Trench
封装：TO220

领域和模块应用：

应用场景：
VBM17R15SE MOSFET 适用于多个领域和模块，以下是一些示例：
- 电源转换器：用于各种类型的电源转换器和逆变器，如开关电源、UPS 电源和太阳能逆变器。
- 电机驱动：适用于各种电机驱动应用，包括电动汽车驱动、工业机械和家用电器。
- 电源管理：可用于各种电源管理和电流控制应用，提供稳定的电力输出和高效的能量转换。
- 汽车电子：应用于汽车电池管理、电动汽车充电系统和车辆动力管理。
- 高压应用：可用于需要高电压和高功率的电路和系统，如工业设备、医疗设备和通信基站。

VBM17R15SE MOSFET 具有高性能和可靠性，适用于多种领域和模块，是工程师们的优选之一。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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