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VBM17R15S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBM17R15S是一款单N沟道MOSFET,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有TO220封装,适用于多种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为700V,VGS(门-源电压)为±30V。
- 阈值电压:Vth(阈值电压)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,导通时的最小电阻为350mΩ,最大漏极电流为15A。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源转换器:VBM17R15S可用于电源转换器的开关电路,实现高效能源转换,适用于各种电力供应系统。
2. 电动车辆控制:在电动车辆中,该产品可用于电机控制和电池管理系统,提供可靠的动力输出和电能管理。
3. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,VBM17R15S可用于控制模块和驱动器,确保设备的稳定运行和高效生产。

以上是VBsemi的VBM17R15S产品的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的示例说明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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