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VBM17R11SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBM17R11SE是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Deep-Trench技术制造。具有高性能和可靠性,封装为TO220,适用于各种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBM17R11SE
- 类型:单N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):700V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):360mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220

领域和模块应用:

应用示例:
该产品适用于多个领域和模块,例如:
- 电动车辆控制器:用于电动车辆的驱动控制系统,实现高效能量转换和电机控制。
- 工业电源模块:可用于工业设备的电源管理和控制,包括变频器、机床和电焊设备等。
- LED照明驱动器:适用于LED灯具的功率开关和亮度调节,实现高效能的光照控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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