VBM17R11SE - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi的VBM17R11SE是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Deep-Trench技术制造。具有高性能和可靠性，封装为TO220，适用于各种应用场合。

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产品参数：

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：VBM17R11SE
- 类型：单N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压（VDS）：700V
- 最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：360mΩ
- 最大漏极电流（ID）：11A
- 技术：SJ_Deep-Trench
- 封装：TO220

领域和模块应用：

应用示例：
该产品适用于多个领域和模块，例如：
- 电动车辆控制器：用于电动车辆的驱动控制系统，实现高效能量转换和电机控制。
- 工业电源模块：可用于工业设备的电源管理和控制，包括变频器、机床和电焊设备等。
- LED照明驱动器：适用于LED灯具的功率开关和亮度调节，实现高效能的光照控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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