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VBM17R11S 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBM17R11S 是一款单 N 型 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,封装为 TO220。该产品具有700V 的 VDS 额定电压,30V 的 VGS 最大偏置电压,以及3.5V 的阈值电压。它的导通电阻(VGS=10V)为450mΩ,最大漏极电流为11A,适用于各种中低压应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:

1. VDS(漏极-源极电压):700V
2. VGS(栅极-源极电压):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. VGS=10V 时的导通电阻:450mΩ
5. 最大漏极电流(ID):11A
6. 技术:SJ_Multi-EPI
7. 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 电动汽车驱动器:VBM17R11S 可以用作电动汽车驱动器中的功率开关模块,用于控制电动车辆的电机启停和速度调节,提高车辆的动力性能和能源利用效率。

2. 工业变频调速器:在工业控制领域,该产品可用于变频调速器的功率模块,如交流电机调速器、变频空调和泵站控制器等,实现电机转速的精确调节和能源节约。

3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏发电系统中,VBM17R11S 可用作逆变器的开关元件,将太阳能板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭、商业和工业用途。

4. 电源逆变器:该产品适用于各种电源逆变器中的功率开关模块,如电源逆变器、UPS(不间断电源)和变压器,实现电能的高效转换和稳定输出。

5. LED 照明驱动器:在 LED 照明系统中,VBM17R11S 可用作 LED 驱动器的开关元件,控制 LED 灯珠的亮度和开关状态,提高照明系统的能效和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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