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VBM17R08SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBM17R08SE是一款单N沟道MOSFET,具有高达700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。采用SJ_Deep-Trench技术制造,封装为TO220,具有高性能和可靠性。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):540mΩ
- 最大漏极电流(ID):8A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源模块:VBM17R08SE适用于低至中功率的开关电源、逆变器和DC-DC转换器等模块中,提供高效率和可靠性。
2. 电动车控制:在电动车的电机驱动系统中,该器件可用于电机控制器和电动车充电桩中,提供高效率和稳定性。
3. 工业自动化:适用于工业控制系统、PLC控制模块和电机驱动器等领域,提供可靠的功率开关解决方案。
4. LED照明:在LED照明应用中,可用于驱动LED灯带、户外照明和景观照明等场景,提供稳定的功率输出和高效率的功率转换。

以上仅为一些示例,实际应用取决于具体设计需求和系统要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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