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VBM17R07S 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBM17R07S 是一款单N沟道场效应晶体管,具有高达700V的漏极-源极电压(VDS)和7A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有可靠的性能和稳定性。封装为TO220,适用于多种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBM17R07S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):750
- 漏极电流(ID):7A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 照明模块:由于其高漏极电压和可靠性,适用于LED照明驱动器和开关电源模块。
2. 太阳能逆变器:用于太阳能逆变器中的开关模块,转换太阳能电池板的直流输出为交流电。
3. 电动工具:可用于电动工具中的驱动模块,如电动钻、电锤等。
4. 汽车电子:适用于汽车电子系统中的功率管理和电机驱动模块,如发动机控制单元(ECU)和电动车辆驱动控制器。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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