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VBM17R06 产品详细

产品简介:

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VBM17R06是由VBsemi公司推出的Single N型MOSFET,具备高性能和可靠性。该产品采用Plannar技术,拥有700V的漏极-源极电压(VDS),6A的漏极电流(ID),并在VGS=10V时具有约1900mΩ的导通电阻。封装为TO220,适用于多种应用场合。

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产品参数:


详细参数说明:

- 产品型号:VBM17R06
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:Single N
- VDS(漏极-源极电压):700V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.2V
- VGS=10V时的导通电阻:约1900mΩ
- ID(漏极电流):6A
- 技术:Plannar
- 封装:TO220

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 电源管理模块:VBM17R06适用于各种DC-DC转换器和AC-DC变换器中的电源管理模块,可作为开关管用于功率控制和管理。
2. 照明控制系统:在LED照明系统中,VBM17R06可作为开关管用于LED驱动电路,控制LED的亮度和稳定性。
3. 工业自动化设备:VBM17R06可以用于工业自动化设备中的电源控制和开关电路,保证设备的稳定运行和高效工作。
4. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的关键元件,VBM17R06能够承受高压和高电流,实现太阳能的有效转换和利用。

以上领域和模块需要高性能和可靠性的功率器件来确保系统的正常运行,VBM17R06具备这些特点,是这些应用场合的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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